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IXTA90N15T IXTH90N15T
IXTP90N15T IXTQ90N15T
90
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
240
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
80
70
60
V GS = 10V
9V
8V
7V
220
200
180
160
V GS = 10V
9V
8V
7V
50
40
30
6V
140
120
100
80
20
60
40
6V
10
0
5V
20
0
5V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
90
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 45A Value
vs. Junction Temperature
80
70
60
V GS = 10V
8V
7V
2.8
2.6
2.4
2.2
V GS = 10V
50
6V
2.0
1.8
I D = 90A
I D = 45A
40
30
20
10
0
5V
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
4.5
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 45A Value
vs. Drain Current
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
4
V GS = 10V
15V - - - -
T J = 175oC
80
External Lead Current Limit
3.5
70
60
3
50
2.5
40
2
30
1.5
1
0.5
T J = 25oC
20
10
0
0
40
80
120
160
200
240
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
T C - Degrees Centigrade
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IXTH96P085T 功能描述:MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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